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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5714 个

  • 15n10,15n10参数,100v15a,​KND6610A场效应管现货-KIA MOS管

    原厂优质现货KND6610A场效应管可代换15n10使用，?参数兼容、性价比高，KND6610A?漏源击穿电压100V，漏极电流15A，采用先进的平面沟槽技术，极低导通电阻RDS(开启) 83mΩ，可最大限度地减少导电损失，提供卓越的开关性能；具有低crss、快速切换、并能够承受雪...

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    www.kiaic.com/article/detail/6322.html         2026-04-13

  • nce3050k参数,30v50a场效应管,KIA50N03CD现货批发-KIA MOS管

    优质原厂特价现货KIA50N03CD场效应管可代换nce3050k使用，50n03漏源击穿电压30V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 6.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、低交叉电流、快速开关特性以及100%经雪崩测试、提升dv/dt性能，性能高...

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    www.kiaic.com/article/detail/6321.html         2026-04-13

  • 开关电源过压欠压保护电路,原理图-KIA MOS管

    首先左侧CRTL-LOAD是单片机输出开启负载的控制端。CRTL-LOAD输出高电平，Q2打开，负载LOAD-IN接入。负载正常的情况下电路不会有异样，但是当负载突然变大(短路或者接错负载情况下)时，保护电路开始起作用。

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    www.kiaic.com/article/detail/6320.html         2026-04-13

  • hy1906,hy1906参数,​60v130a,KIA2906AH现货批发-KIA MOS管

    漏源击穿电压（Vdss)：60V连续漏极电流（Id）：70A-120A（不同封装规格）脉冲漏电流：260A漏源导通电阻（Rds(on))：5.5mΩ

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    www.kiaic.com/article/detail/6319.html         2026-04-10

  • 正激式开关电源和反激式开关电源-KIA MOS管

    如图所示，对于正激式开关电源具体是指当开关管接通时，输出变压器充当介质直接耦合磁场能量，电能与磁能相互转化，使输入输出同时进行。

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    www.kiaic.com/article/detail/6318.html         2026-04-10

  • 开关电源功率变换电路图,原理-KIA MOS管

    功率变换电路是开关电源的核心部分，负责将整流滤波后的高压直流电（如310V）通过高频开关动作，转换为所需电压等级的直流电（如12V、5V等）。该过程基于高频PWM（脉宽调制）控制和电磁能量存储与释放原理。

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    www.kiaic.com/article/detail/6317.html         2026-04-10

  • 80n04参数,80n04d,40v80a mos管,KNG3404D现货-KIA MOS管

    80n04参数,80n04d漏源击穿电压（VDSS）：40V连续漏极电流（ID）：80A

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    www.kiaic.com/article/detail/6316.html         2026-04-09

  • nce4080,nce4080k参数代换,40v80a,KND3404B场效应管-KIA MOS管

    漏源击穿电压（Vdss）：40V连续漏极电流（Id）：80A栅源电压（Vgs）：±20V（典型值）导通电阻（Rds(on)）：<7mΩ@Vgs=10V

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    www.kiaic.com/article/detail/6315.html         2026-04-09

  • mos管的阈值电压是什么?阈值电压公式-KIA MOS管

    MOS管的阈值电压（Vth）是指使器件从截止状态转变为导通状态所需的最小栅源电压，是MOSFET的关键参数，决定了沟道形成的临界点。阈值电压定义：在源极和漏极之间形成导电沟道（反型层）所需的最小栅极偏压。

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    www.kiaic.com/article/detail/6314.html         2026-04-09

  • nce3050k参数代换,​50n03场效应管,KIA50N03BD批发-KIA MOS管

    漏源电压（Vdss）：30V连续漏极电流（ld，25C时）：50A栅源阈值电压（Vgs(th))：3V@250μA漏源导通电阻（Rds(on)）：11 mΩ@25A,10V

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    www.kiaic.com/article/detail/6313.html         2026-04-08

  • nce01p18,nce01p18k参数代换,KIA35P10AD现货特价-KIA MOS管

    nce01p18k参数：漏源电压（Vdss）：100V。连续漏极电流（Id）：18A（25℃时）。导通电阻（Rds(on))：100mΩ（典型值@Vgs=10V,Id=16A）。

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    www.kiaic.com/article/detail/6312.html         2026-04-08

  • 三相桥式PWM逆变电路详解-KIA MOS管

    如图所示为三相桥式PWM逆变电路，功率开关器件为GTR，负载为电感性。从电路结构上看，三相桥式PWM变频电路只能选用双极性控制方式。电路原理在于通过三相调制信号和三角形波载波信号的比较来控制功率晶体管的导通和关断。

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    www.kiaic.com/article/detail/6311.html         2026-04-08

  • 28n50mos管,500v大功率场效应管,KIA28N50HH现货批发-KIA MOS管

    原厂热销现货KIA28N50HH场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，极低导通电阻RDS(开启) 0.16Ω，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低栅极电荷、低Crss、快速切换、?改进的dv/dt，高效低耗；经过100%雪崩测试、符合RoHS，良好的开关特性，能够承受较大的...

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    www.kiaic.com/article/detail/6310.html         2026-04-07

  • 三相桥式逆变电路原理,电路图-KIA MOS管

    三相桥式逆变电路通过6个开关器件构成三相全桥结构，利用上下桥臂互补导通产生相位差120°的三相交流输出。开关按特定时序切换：每个桥臂上下管交替导通，每60°电角度切换一组开关状态，形成六步换流机制。通过改变开关频率和PWM调制方式控制输出电压...

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    www.kiaic.com/article/detail/6309.html         2026-04-07

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